對高純化工原料試劑或高純原素純凈度或雜質含量的檢測，一般常見分子光譜圖、分子光譜分析法、色譜儀、質譜分析比色計化學成分分析等方式 開展測量。其陽離子規(guī)格型號正常情況下參考試劑優(yōu)等品規(guī)范，沒有優(yōu)等品規(guī)范的商品由生產(chǎn)制造企業(yè)自主制訂。依據(jù)主要用途不一樣，把高純化工原料試劑又分為幾類：
一般離純試劑：
就是指一些高純氫氧化物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業(yè)生產(chǎn)原材料、電子工業(yè)原材料、半導體材料基本原材料等，金屬單質的金屬氧化物、用于配置標液和做為標準物質，此類試劑常規(guī)定含量在4N-6N中間。
潔凈電子器件純試劑：
潔凈高純試劑是集成電路芯片（IC）生產(chǎn)制造加工工藝中的專用型化工品，用以硅片清洗、光刻技術、浸蝕工藝流程中。對這類高純試劑中可溶雜質和固體粒子規(guī)定十分嚴苛，為融入IC處理速度持續(xù)提升的要求，國際性上半導體材料行業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation）近期發(fā)布Semic7(合適0.8-1.2μm生產(chǎn)工藝)和Semic8(合適于0.2-0.6μm生產(chǎn)工藝)等級的試劑產(chǎn)品質量標準。在我國在原來MOS級、BV-I級試劑的基本上，又制訂出BV-II級和BV-III級試劑規(guī)范（等同于Semic7）。我研究室也研發(fā)多種多樣MOS級、BV-I級BV-II級和一部分BV-III級試劑，其顆粒度（0.5粒子顆粒物）≤25-一百個∕ml，金屬材料雜質總產(chǎn)量≤10-3—10-5﹪
光刻膠高純試劑：
光刻技術是一種表層生產(chǎn)加工技術性，在半導體材料電子元器件和集成電路芯片生產(chǎn)制造中占據(jù)關鍵影響力。為在表層完成可選擇性浸蝕，選用一類具備抗蝕功效的光感應復合樹脂做為抗蝕鍍層，稱之為抗蝕劑，中國統(tǒng)稱光刻膠。依照溶解性的不一樣而將光刻膠分成“正性”光刻膠和“負性”光刻膠，按常用曝出燈源和輻射源燈源的不一樣，又可將其分成紫外線、遠紫外線、離子束、X射線等光刻膠。
光刻膠是細微圖型生產(chǎn)加工的一種重要試劑，規(guī)定水份低、金屬材料雜質含量低（≤10-6）
磨打磨拋光高純試劑：
就是指用以硅單晶片表層的碾磨和打磨拋光的高純度試劑。它又分研磨成粉（三氧化二鋁）和磨液（水和除油劑），能碾磨表層做到μm級加工精度。這類試劑規(guī)定顆粒物粒度分布小（納米技術），純凈度高，金屬材料雜質一般規(guī)定2.0×10-4—5×10-5﹪
lcd屏高純試劑：
lcd屏是一類電子器件化工材料，就是指在一定溫度范圍內展現(xiàn)接近固相和高效液相中間的正中間相的有機化合物。它不僅有液體的流通性也是有晶態(tài)的各種各樣，有時候人叫他為第四態(tài)。